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少子壽命測(cè)試儀

簡(jiǎn)要描述:MHY-14351型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載子壽命。

  • 產(chǎn)品型號(hào):MHY-14351
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-07-22
  • 訪  問(wèn)  量:657

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產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)

單晶少子壽命測(cè)試儀  型號(hào):MHY-14351

 

MHY-14351型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載子壽命測(cè)量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之。本儀器靈敏度較,配備有紅外光源,可測(cè)量包括集成電路硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
 
   本儀器根據(jù)際通用方法頻光電導(dǎo)衰退法的原理,由穩(wěn)壓電源、頻源、檢波放大器,制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺(tái)共五份組成。采用印刷電路和頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。 
 術(shù)  標(biāo) : 
 

 測(cè)試單晶電阻率范圍  >2Ω.cm
 可測(cè)單晶少子壽命范圍  5μS~7000μS
 配備光源類型  波長(zhǎng):1.09μm;余輝<1 μS;
 閃光頻率為:20~30次/秒;
 閃光頻率為:20~30次/秒;
 頻振蕩源  用石英諧振器,振蕩頻率:30MHz
 前置放大器  放大倍數(shù)約25,頻寬2 Hz-1 MHz
 儀器測(cè)量重復(fù)誤差  <±20%
 測(cè)量方式  采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
 儀器消耗率  <25W
 儀器作條件  溫度: 10-35℃、 濕度 < 80%、使用電源:AC 220V,50Hz
 可測(cè)單晶尺寸  斷面豎測(cè):φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
 縱向臥測(cè):φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;
 配用示波器  頻寬0—20MHz;
 電壓靈敏:10mV/cm;
 

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